A félvezető nyomásérzékelők két kategóriába sorolhatók, az egyik azon az elven alapul, hogy a félvezető PN csomópont (vagy a Schottky Junction) I-υ tulajdonságai stressz alatt változnak. Ennek a nyomásérzékeny elemnek a teljesítménye nagyon instabil, és nem fejlett. A másik az érzékelő, amely félvezető piezorsisterive hatással van, amely a félvezető nyomásérzékelő fő változata. A korai napokban a félvezető feszültségmérők többnyire rugalmas elemekhez kapcsolódtak, hogy különféle stressz- és feszültségmérési eszközöket készítsenek. Az 1960 -as években, a félvezető integrált áramköri technológia fejlesztésével egy félvezető nyomásérzékelő, diffúziós ellenállással, mint piezorsister elem. Az ilyen típusú nyomásérzékelőnek egyszerű és megbízható szerkezete van, nincs relatív mozgó alkatrész, és az érzékelő nyomásérzékeny eleme és rugalmas eleme integrálódik, ami elkerüli a mechanikus késést és a kúszást, és javítja az érzékelő teljesítményét.

A félvezető piezorsisterive hatása a félvezetőnek a külső erővel kapcsolatos jellemzője, azaz az ellenállás (a ρ szimbólum által ábrázolva) az általa viselt feszültséggel változik, amelyet piezorsisterive hatásnak hívnak. Az ellenállás relatív változását az egység stressz hatása alatt piezorsisterive együtthatónak nevezzük, amelyet a π szimbólum fejez ki. Matematikailag kifejezve ρ/ρ = π σ.

Ahol σ a stresszt képviseli. Az ellenállás értékének (R/R) megváltozását (R/R), amelyet a stressz alatt a félvezető ellenállás okoz, elsősorban az ellenállás megváltozása határozza meg, így a piezorsisterive hatás expresszióját R/r = πσ is írhatjuk.

A külső erő hatása alatt bizonyos stressz (σ) és törzs (ε) előállítódik félvezető kristályokban, és a köztük lévő kapcsolatot az anyag Young modulusa (Y) határozza meg, azaz y = σ/ε.

Ha a piezorstisztikus hatást a félvezető törzse fejezi ki, akkor ez r/r = gε.

G -t a nyomásérzékelő érzékenységi tényezőjének nevezzük, amely az ellenállási érték relatív változását képviseli az egység törzse alatt.

A piezorsistive együttható vagy az érzékenységi tényező a félvezető piezorsisterive hatás alapvető fizikai paramétere. A köztük lévő kapcsolatot, akárcsak a stressz és a feszültség közötti kapcsolatot, a Young anyag modulusa határozza meg, azaz g = π y.

A félvezető kristályok rugalmasságának anizotrópiája miatt a Young modulus és piezorsistive együttható változása a kristályorientációval. A félvezető piezorstisztikus hatás nagysága szorosan kapcsolódik a félvezető ellenállásához. Minél alacsonyabb az ellenállás, annál kisebb az érzékenységi tényező. A diffúziós rezisztencia piezorstisztikus hatását a diffúziós rezisztencia kristály -orientációja és szennyeződés koncentrációja határozza meg. A szennyeződés -koncentráció elsősorban a diffúziós réteg felületi szennyeződéskoncentrációjára utal.